半导体大消息！美国同意三星电子、SK海力士向华提供设备

刚，半导体材料传出一则大消息。

10月9日，韩国领导人公司办公室通告，国外允许三星电子和SKsk海力士向坐落于工厂提供设备，不用其他批准。代表着，在不需要独立准许的情形下，三星电子、SKsk海力士可向中国工厂供货含美国技术的半导体材料机器设备。值得一提的是，世界最大和第二大内存芯片生产商，三星电子、SKsk海力士在国内市场深耕多年。

此外，销售市场报道称，内存芯片价格已逆势上涨，三星等国际性大型厂正在酝酿价格上涨，价格上涨预估主要体现在DRAM（动态性随机存取存储器）芯片领域。二级市场上，10月9日，半导体材料版块趁势反跳，内存芯片方位涨幅榜。在其中，好上好取得股票涨停，夺得4涨停；同有科技、江波龙、东芯股份、德明利、力源信息等涨幅榜。

值得关注的是，tsmc的3nm处理芯片忽然被爆出产品合格率稍低，引发市场关心。据韩国媒体 ChosunBiz引用内部人士得话报导，三星电子、tsmc的3nm半导体材料产品合格率目前都只有50%上下。此外，有投资分析师宣称，iPhone 15系列手机出现发热难题，可能就是因为tsmc的3nm工艺上存在不足。

半导体材料大消息

10月9日，韩国领导人公司办公室通告，国外允许三星电子和SKsk海力士向坐落于工厂提供设备，不用其他批准。代表着，在不需要独立准许的情形下，三星电子、SKsk海力士可向中国工厂供货含美国技术的半导体行业。

韩国领导人公司办公室经济发展首席秘书崔相穆在记者会上表示，美政府做出最后决定，将永久免除三星电子和SKsk海力士向在中国加工厂给予半导体行业，不用其他批准。

崔相穆表露，美国已经将这一决定通告三星电子和SK海力士等相关产业，将从即日起起效。

三星在一份声明中表示：“根据和相关相关部门的紧密融洽，与我们在中国的半导体芯片生产流水线经营有关的不确定因素已大大的清除。”

SKsk海力士还表示：“我们欢迎美政府增加出口限制政策法规免除的决策。我们坚信这一决定也有助于全球半导体产业链的平稳。”

回望先前，2022年10月，美政府实行了全方位的出入口管制措施，严禁美国企业对我国芯片生产商出入口制造芯片所需要的机器设备。并规定三星电子、SKsk海力士需要获得许可证书才能把国外芯片制造设备带到我国。

韩《中央日报》分析认为，因为美国的专业技术控制与出口管制，韩正丧失我国非常大的芯片市场。如果未来的半导体材料独立加速，极度依赖半导体行业的韩国的经济势必会蒙受损失。韩今年国税局收益将较预估降低59万亿韩元（折合人民币3247亿人民币），关键原因之一就是半导体企业销售业绩萎靡。

在极力反对下，三星、SKsk海力士在中国加工厂赢得了进口的各种设备的豁免权，不用向美政府申请办理附加批准，免除期为1年，至今年10月11日。

2023年9月27日，朝鲜日报报导，国外预计永久增加韩芯片生产商三星、SKsk海力士在中国加工厂进口的国外芯片设备的豁免权。

依据永久免除，美国财政部将把那俩家芯片生产商导入到其“经过验证的终端用户”（VEU）名单上，该名册说明什么实体线可以接收各种各样美国技术出口。一旦列为名册，芯片生产商将不会需要单独出入口案子的全新批准。

值得一提的是，做为世界最大和第二大内存芯片生产商，三星电子、SKsk海力士在国内市场深耕多年。在其中，三星电子在我国西安市生产制造NAND闪存芯片，SKsk海力士在无锡工厂生产制造DRAM处理芯片，在大连生产制造NAND闪存芯片，两家企业都投了数十亿美元。

Trend Force集邦咨询统计数据显示，截止到2023年6月末，这几家韩企掌握着全世界近70%动态化半导体存储器（DRAM）和50%的闪存（NAND）销售市场。

价格上涨数据信号

前不久，据多家媒体报道称，内存芯片价格已逆势上涨，三星等国际性大型厂正在酝酿价格上涨，价格上涨预估主要体现在DRAM（动态性随机存取存储器）芯片领域。

据《韩国经济日报》信息，三星电子最近与主要智能机顾客签订了闪存芯片供货协议书，主要包括小米手机、OPPO及谷歌搜索。合同中，DRAM和NAND闪存价格较目前合同书价格上调力度实现10-20%。

业界预估，伴随着后半年国内手机品牌相继上新及其iPhone15系列产品公布，上下游交货工作压力会逐步减轻，内存芯片调节周期时间序幕即将到来，全部内存芯片销售市场将会迎来转折点。

二级市场上，10月9日，半导体板块表现较为醒目，内存芯片方位涨幅榜，好上好夺得股票涨停，已经连续4个交易日内取得股票涨停，冠石科技、万润科技股票涨停，江波龙大涨超7%，东芯股份、力源信息、聚辰股份、德明利、兆易创新等跟涨。

消息面上，三星电子将下降平泽三厂(P3)投资总额，并大砍DRAM、NAND Flash投产经营规模，在其中NAND加设经营规模或降到原本定三分之一水平。三星电子数据调查报告，各个领域顾客存放库存调整已经接近进行。

近年来，三星一直坚定不移实行限产发展战略，在今年的1月、4月已经连续公布调节单晶硅片资金投入。最初限产措施主要体现在DRAM行业，以后后半年三星下手大幅削减NAND Flash业务流程生产量。

分析人士指出，三星的目的是，扩张限产经营规模，减少供给量，再提升产品报价来寻求翻转。三星预估，从2024年逐渐将会出现有些地方的DRAM和NAND Flash供货发生紧缺。

SK证劵研究者Han Dong-hee觉得，三星的第二波限产规划和盈利优先选择现行政策有望带动内存芯片价钱反跳。

tsmc突传利空消息

据韩国媒体 ChosunBiz 报导，消息人士称，三星电子、台积电的3nm半导体材料产品合格率目前都只有50%上下。这一水平不足以吸引住硬件配置供应商眼光。

消息称，据一位了解三星的人士透露，要获得高通芯片等大顾客下一年的3纳米技术移动芯片订单信息，合格率最少要提升到70%。

对于tsmc，尽管是目前唯一一家有着3nm批量生产记载的企业，但其产量一样小于最开始预估。有分析师表示，tsmc3nm加工工艺中使用了与上一代加工工艺同样的FinFET构造，很有可能“未能控制”超温难题。

值得一提的是，自苹果公司iPhone 15/Pro系列手机自推出以来，收到很多用户有关手机发烫报告，热点话题一度冲上热搜，引发网友热议。近日，有投资分析师宣称，iPhone 15系列手机出现发热难题，可能就是因为台积电的3纳米制程上存在不足。tsmc在3纳米芯片中使用了与上一代加工工艺同样的FinFET构造，没能够很好地操纵超温难题。

而苹果公司方面则称其，发烫难题纯粹就是软件故障，并已为iOS 17发布补丁包来解决问题。

先前，天风国际投资分析师郭明錤在社交平台出文，针对当前苹果公司iPhone 15 Pro手机过热难题进行了解读，并且表示，“与tsmc3nm制造不相干”。关键主要是为了让重量更轻，所以对散热设计设计方案进行了让步，好像排热面积不大、选用钛金属危害散热性能等。